Распределение электронной плотности в силициде ванадия по данным прецизионных рентгенодифракционных экспериментов
Авторы
Самбуева Светлана Раднаевна
ФГБОУ ВО "Бурятская государственная сельскохозяйственная академия им. В.Р. Филиппова"
Ключевые слова:
распределение электронной плотности, прецизионные рентгенодифракционные эксперименты, силицид ванадия
Аннотация
Прецизионным рентгенодифракционным методом рассчитаны распределение электронной плотности и заселенности атомных орбиталей V3Si при комнатной и низких температурах. Полученные данные указывают на отсутствие квазиодномерного характера электронного распределения, что противоречит моделям невзаимодействующих линейных цепочек атомов переходного металла, обуславливающих аномальные свойства фаз А-15. Результаты исследования особенностей теплового движения атомов, распределения электронной плотности и параметров электронной структуры свидетельствуют о ковалентном межцепочечном взаимодействии и о ковалентной составляющей связи между атомами переходного металла и непереходного компонента.
doi: 10.33184/bulletin-bsu-2026.3.5
Биография автора
Самбуева Светлана Раднаевна, ФГБОУ ВО "Бурятская государственная сельскохозяйственная академия им. В.Р. Филиппова"
канд. хим. наук, доцент, доцент кафедры «Естественно-научные дисциплины»
